ダイヤモンド成膜装置

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2.45GHz マイクロ波源と負荷との自動インピーダンス整合を2秒以内で行い入力電力の約 99％ を負荷側へ安定供給する高性能自動チューナにより、安定した高密度プラズマを発生させ、効率的にダイヤモンドを合成します。

特徴

• 独自のプラズマ制御機能によりプラズマ点灯状態で基板上のプラズマ分布をコントロール
• φ2 インチの範囲で全面均一なバイアス処理が可能
• リアルタイムサーマルイメージ機能付きのパイロメータにより基板直上のビューポートから温度分布を観測
• 基板温度を一定に維持する5種類のフィードバック制御
• 常時、各データを記録

• 使い易いＰＣ画面コンソール

  ・マニュアルモード：全機能の個別操作とワンショット操作

  ・レシピモード：20ステップのプログラム、各ステップに自動制御設定が可能

  ・常時トレンドグラフを表示

• PC なしでもタッチパネルでマニュアル操作可能

小型 ･ 省電力 3インチ成膜装置を開発

プラズマの形状を従来の球状 → 円盤状に変更することにより成膜範囲を広げφ3インチ成膜を可能にしました。マイクロ波源は2.45GHz 5kWであり、装置サイズは従来のφ2インチ装置と同等です。

φ80mm×t4mmのタングステン基板に成膜

φ 2インチ シリコン基板上の配向膜

バイアス処理後、＜001＞ 優先成長2時間

主な仕様